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GBS65041TOB
1个N沟道 耐压:650V 电流:66A
- 描述
- 650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，其在谐振开关拓扑中提供了非常高的效率。超快体二极管使其适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBS65041TOB
- 商品编号
- C5451736
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 313W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
HN2194采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 16A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
- VDS = -30V，ID = -14A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源