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GBI7256NMCR
双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器,供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A
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- 描述
- GBI7256是一款双通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。负输入可低至 -5V，以增强输入抗噪声能力
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI7256NMCR
- 商品编号
- C5451742
- 商品封装
- WSON-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 8.5ns | |
| 下降时间(tf) | 6.5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 13ns | |
| 传播延迟 tpHL | 13ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
应用领域
- 电源MOSFET栅极驱动
- IGBT栅极驱动
- 开关电源
- 电机控制
- 太阳能电力
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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