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GBI1600TKBR
降压型 800mA 4.5V~60V
- 描述
- GBI1600是一款4-60V输入电压范围的非同步降压DC-DC转换器,最大输出电流为800mA。集成600mΩ高侧功率MOSFET,固定频率620kHz,具有脉冲跳跃模式和过温保护功能。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI1600TKBR
- 商品编号
- C5451750
- 商品封装
- TSOT-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 4.5V~60V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 800mA | |
| 开关频率 | 620kHz | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(TJ) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | 80uA | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | 可调 | |
| 功能特性 | 轻载高效模式；逐波限流；过流保护 |
商品概述
GBI1600 是一款集成了 542mΩ 高边 MOSFET 的 60V、1A 降压转换器。该器件具有 4V 至 60V 的宽输入电压范围，适用于来自未稳压电源的各种应用，如工业或汽车应用。该器件采用峰值电流模式，并具有固定的 600kHz 开关频率，以最大限度地减少外部元件数量。GBI1600 具有 5ms 的内部软启动时间。该器件在睡眠模式下的静态电流为 80uA，关断电流为 1uA，使其适用于电池供电系统。该器件集成了逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护和输入电压欠压保护等保护功能。该器件还支持在预偏置输出条件下的单片启动。EN 引脚是一个高耐压引脚，具有精确的阈值，可通过两个外部电阻来调整输入电压锁定阈值，以满足精确的更高 UVLO 系统要求。浮空 EN 引脚可使能器件。将 EN 引脚直接连接到 VIN 可在上电时自动启动器件。该器件提供具有成本效益的 TSOT23-6L 封装和散热增强的 eSOP-8L 封装。
商品特性
- 宽输入范围：4V-60V
- 最大连续输出电流高达 1A
- 0.770V ± 2.5% 反馈参考电压
- 集成 542mΩ 高边功率 MOSFET
- 固定频率 600kHz
- 轻载时的脉冲跳跃模式
- 最短导通时间 80ns
- 5ms 内部软启动时间
- UVLO、OTP 和逐周期电流保护
- 提供 TSOT23-6L 和 eSOP-8L 封装
应用领域
- 工业分布式电源总线
- 电池供电设备
- 电梯
- PLC
- 伺服
- 自动控制
- 汽车