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GBI1450SMAR
降压型 5A 4V~40V
- 描述
- GBI1450是一款40V、5A的非同步降压DC-DC转换器,具有集成80mΩ高侧MOSFET。输入电压范围为4.0V至40V,适用于各种工业和汽车应用。该器件采用峰值电流模式控制,支持宽范围的可调开关频率,并具有多种保护功能。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI1450SMAR
- 商品编号
- C5451745
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 4V~40V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 5A | |
| 开关频率 | 200kHz~2.5MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(TJ) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | 可调 | |
| 功能特性 | 轻载高效模式；逐波限流；可调软启动；过流保护；打嗝限流 |
商品概述
GBI1450是一款40V、5A的降压转换器，集成了80mΩ高边MOSFET。该器件具有4.0V至40V的宽输入范围，适用于来自未稳压电源的各种应用。它采用峰值电流模式控制，支持通过外部电阻设置的200kHz至2.5MHz宽范围可调开关频率。在睡眠模式下静态电流为100uA，关断电流为1uA，适用于电池供电系统。器件集成了多种保护功能，如逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护、输入电压欠压保护以及在过流和输出硬短路条件下的打嗝模式。它采用8引脚eSOP-8L封装。该器件具有默认的3.6V输入启动电压和350mV迟滞。EN引脚为高压引脚，具有精密阈值，可通过两个外部电阻调整输入电压锁定阈值，以满足精确的更高欠压锁定系统要求。浮空EN引脚可使能器件，直接连接EN引脚至VIN可自动启动器件。该器件还支持在预偏置输出条件下的单片启动。GBI1450采用固定频率峰值电流模式控制。内部时钟在每个周期启动集成高边功率MOSFET的导通，随后电感电流线性上升。当通过高边MOSFET的电流达到由内部误差放大器的内部补偿电压设定的阈值电平时，高边MOSFET关断。高边MOSFET关断后，电感电流通过外部二极管放电，直至下一个时钟周期开始。集成的误差放大器和内部补偿构建了反馈环路，以将输出电压调节至基准。误差放大器将FB引脚的电压与0.8V的内部基准电压进行比较。负载电流的增加会降低反馈电压，这相对于误差放大器输出电压的升高，直至平均电感电流与增加的负载电流匹配。该器件还集成了内部斜坡补偿电路，以防止在占空比大于50%时发生次谐波振荡。GBI1450在轻负载电流下工作于脉冲跳跃模式以提高效率。负载电流的降低导致反馈电压升高，从而使补偿电压下降。当补偿电压降至低钳位阈值时，触发PSM。在跳跃期间，输出电容的放电导致输出电压下降，从而使FB电压衰减。一旦FB电压降至低于基准电压且补偿电压升至高于低钳位阈值，集成高边MOSFET将在下一个时钟脉冲导通。经过几个具有典型0.35A峰值电感电流的开关周期后，内部补偿电压下降并再次被钳位，如果输出持续轻载，则重复脉冲跳跃模式。这种PSM通过跳过周期来降低开关功率损耗和栅极驱动充电损耗，有助于实现更高的效率。
商品特性
- 宽输入范围：4.0V-40V
- 高达5A的连续输出电流
- 0.8V ±1.25%的反馈基准电压
- 集成80mΩ高边功率MOSFET
- 200kHz至2.5MHz可调频率
- 轻载下的脉冲跳跃模式
- 睡眠模式下100uA静态电流
- 可编程软启动时间
- 集成环路补偿
- 采用eSOP-8L封装
应用领域
- 12V/24V工业电源系统
- 工业自动化与电机控制
- 车载配件