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GBI7254SMBR
双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器,供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A
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- 描述
- 是双通道高速低端栅极驱动器，为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为14ns，24V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至-5V的负输入，以增强输入抗噪性。宽输入滞后与TTL和CMOS低压逻辑兼容。该器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。它可在-40℃至125℃的宽温度范围内工作。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI7254SMBR
- 商品编号
- C5451740
- 商品封装
- SOIC-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 工作电压 | 4.5V~24V | |
| 上升时间(tr) | 8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 6ns | |
| 传播延迟 tpLH | 14ns | |
| 传播延迟 tpHL | 15ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.35V | |
| 输入低电平(VIL) | 900mV~1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 124uA |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
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