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GBI7250TJBR
单通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器,供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A
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- 描述
- 单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI7250TJBR
- 商品编号
- C5451739
- 商品封装
- TSOT23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 6ns | |
| 传播延迟 tpLH | 13ns | |
| 传播延迟 tpHL | 13ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.3V~2.6V | |
| 输入低电平(VIL) | 950mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 30uA |
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购买数量
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