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GBI7250TJBR
单通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器,供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A
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- 描述
- 单通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器，也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBI7250TJBR
- 商品编号
- C5451739
- 商品封装
- TSOT23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 9ns | |
| 下降时间(tf) | 6ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 13ns | |
| 传播延迟 tpHL | 13ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.3V~2.6V | |
| 输入低电平(VIL) | 950mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 30uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
商品概述
GBI7250是一款单通道高速低边栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件具有最小13ns的输入到输出传播延迟，20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。输入可低至-5V，以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞兼容TTL低电压逻辑。IN+和IN-输入的灵活配置使GBI7250 SOT23-THN既可作为同相驱动器，也可作为反相驱动器。其工作温度范围宽，为-40°C至150°C。GBI7250提供SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。该器件是一款单通道、高速、低边栅极驱动器，适用于功率MOSFET、IGBT和GaN HMET，具有高达20V的宽电源电压和5A源/灌峰值电流，以及最小13ns的输入到输出传播延迟。输入可低至-5V直流，这增强了驱动器输入级的抗噪能力。20V轨到轨输出提高了GBI7250输出级在开关负载快速转换期间的鲁棒性。GBI7250输入兼容TTL逻辑，且独立于VDD电源电压。典型阈值电压为2.3V（高电平）和1.0V（低电平），这使得该器件易于由源自3.3V和5V数字电源控制器器件的PWM控制信号驱动。与典型0.5V的迟滞相比，该器件具有更宽的迟滞，提供了更强的抗噪能力。它还实现了对输入阈值电压的严格控制，确保在整个温度范围内稳定工作。输入引脚上的低输入电容提高了开关速度并减少了传播延迟。
商品特性
- 5A峰值源电流和5A峰值灌电流
- 宽电源电压范围：4.5V至20V
- 负输入电压能力：低至-5V
- 快速传播延迟：13ns
- 快速上升和下降时间：9ns和6ns
- TTL输入逻辑阈值
- 欠压锁定保护
- 低静态电流：30μA
- 输入悬空时输出为低电平
- 提供SOT23-THN和SOIC-8L封装
应用领域
- 功率MOSFET栅极驱动
- IGBT栅极驱动
- GaN器件栅极驱动
- 开关电源
- 电机控制
- 太阳能发电