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CMD80P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80P06
- 商品编号
- C5444316
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET经过设计，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 快速开关速度
- 较低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 简单的驱动要求
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 无刷直流电机驱动器