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CMP12N60M
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 描述
- 12N60M采用先进的平面条纹DMOS技术，可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP12N60M
- 商品编号
- C5444319
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.808克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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