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CMB200N08A
1个N沟道 耐压:80V 电流:140A
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- 描述
- 是N沟道功率MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷，适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB200N08A
- 商品编号
- C5444326
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@75A | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 980pF |
商品概述
CMSC60P03将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
~~- P沟道MOSFET-低导通电阻-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC降压转换器中的高端开关-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关