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CMB060N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:90A
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- 描述
- 060N10采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB060N10
- 商品编号
- C5444327
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.693克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 265W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
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