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CMN3J332M
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- CMN3J332M采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN3J332M
- 商品编号
- C5444328
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN5N20将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 在VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON)<45mΩ
- 在VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON)<75mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关