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CMB3006
30V N沟道MOSFET
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- 描述
- 3006采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于电源中的低电压、高速开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB3006
- 商品编号
- C5444325
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.753克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个800个/圆盘
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