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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMSC3006

1个N沟道 耐压:30V 电流:90A

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描述
Cmos公司的先进功率MOSFET为设计师提供了快速开关和低导通电阻的最佳组合。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品型号
CMSC3006
商品编号
C5444318
商品封装
DFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.065克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC
输入电容(Ciss)2.4nF
反向传输电容(Crss)230pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)250pF

商品概述

CMSC3006将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 表面贴装封装
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • DC - DC降压转换器中的高端应用
  • 笔记本电脑电池电源管理
  • 笔记本电脑中的负载开关

数据手册PDF