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CMSC3007
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- CMSC3007将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。P沟道增强型MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC3007
- 商品编号
- C5444317
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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