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APM3020PUC-TRL-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- APM3020PUC-TRL-VB
- 商品编号
- C5441218
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.644克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.455nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 17mΩ（典型值）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 23mΩ（典型值）
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 笔记本电源管理
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