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9435
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的优良组合。SOP8封装普遍适用于所有商用工业表面贴装应用，并且适合诸如DC/DC转换器等低压应用。
- 品牌名称
- 晶扬电子
- 商品型号
- 9435
- 商品编号
- C5380425
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AGM6080C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 30V P沟道MOSFET,高密度设计。
- 超低导通电阻。
- RDS(ON)< 60 m Ω@VGS=-10 V
- RDS(ON)<95 m Ω@VGS=-4.5 V
- 可靠且耐用
应用领域
-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
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