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TK5A80E,S4X(S
1个N沟道 耐压:800V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9Ω（典型值）。 低泄漏电流：IRS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：Vth = 2.5至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK5A80E,S4X(S
- 商品编号
- C5370564
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V,2.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 采用小型薄型封装，占用空间小
- 低漏源导通电阻：RDS (ON) = 38 mΩ（典型值）
- 低漏电流：IDSS = -10μA（最大值）（VDS = -20V）
- 增强型：Vth = -0.5 至 -1.2 V
应用领域
- 锂离子电池应用-电源管理开关应用