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TPCA8120,L1Q(CM
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- 特性：由于采用小型薄型封装，占用空间小。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -30V)。 增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V，ID = -1mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPCA8120,L1Q(CM
- 商品编号
- C5370566
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.18nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.44nF |
商品概述
AGM30P10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 采用小型薄型封装,占用空间小
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.4 , mΩ(典型值)(VGS = -10 , V)
- 低漏电流:IDSS = -10 \mu A(最大值)(VDS = -30 V)
- 增强型模式:Vth = -0.8 至 -2.0 V(VDS = -10 V,ID = -1 mA)
应用领域
- 锂离子二次电池
- 电源管理开关