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TLP291(V4GBTP,E
光电耦合器，砷化镓红外发光二极管与光电晶体管
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- 描述
- 由光电晶体管组成，与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装，是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TLP291(V4GBTP,E
- 商品编号
- C5370572
- 商品封装
- SOIC-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.25V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载电压 | 80V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@8mA,2.4mA | |
| 上升时间(tr) | 4us | |
| 下降时间 | 7us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 400% | |
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
TLP291由光电晶体管和砷化镓红外发光二极管光耦合组成。它采用SO4封装，是非常小且薄的耦合器。TLP291保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和高隔离电压（3750Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器。
商品特性
- 集电极 - 发射极电压：80V（最小值）
- 电流传输比：50%（最小值）
- 等级GB：100%（最小值）
- 隔离电压：3750Vrms（最小值）
- 工作温度：-55至110°C
- UL认证：UL1577，文件编号E67349
- cUL认证：CSA组件验收服务编号5A，文件编号67349
- SEMKO认证：EN 60065:2002，批准编号1200315
- BSI认证：BS EN 60065:2002，批准编号9036；BS EN 60950 - 1:2006，批准编号9037
- 选项（V4）：VDE认证：EN 60747 - 5 - 5证书，编号40009347
- 最大工作绝缘电压：707Vpk
- 最高允许过电压：6000Vpk
- 爬电距离：5.0mm（最小值）
- 电气间隙：5.0mm（最小值）
- 绝缘厚度：0.4mm（最小值）
- 重量：0.05g（典型值）
应用领域
- 小型开关电源
- 可编程控制器