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TPH4R50ANH1,LQ(M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPH4R50ANH1,LQ(M

硅N沟道MOSFET,适用于高效DC - DC转换器,高速开关

品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPH4R50ANH1,LQ(M
商品编号
C5370754
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)92A
导通电阻(RDS(on))3.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC
输入电容(Ciss)4nF
反向传输电容(Crss)31pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)700pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 高速开关
  • 小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)
  • 小输出电荷:Qoss = 79 nC(典型值)
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
  • 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
  • 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)

应用领域

  • 高效 DC-DC 转换器
  • 开关稳压器
  • 电机驱动器

数据手册PDF