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TPH2R306NH,L1Q(M
N沟道 60V 60A
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。 增强模式：VDM = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH2R306NH,L1Q(M
- 商品编号
- C5370557
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
AGM3407E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器