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TPC6113,LF(CM
1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 特性：小而薄的封装，占用空间小。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 38 mΩ（典型值）(VGS =-4.5V)。 低泄漏电流：IDSS =-10 μA(最大值)(VDS =-20 V)。 增强模式：Vth =-0.5 至-1.2V(VDS =-10 V, ID =-0.2 mA)。应用：锂离子电池应用。 电源管理开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPC6113,LF(CM
- 商品编号
- C5370546
- 商品封装
- VS6-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
MPG55N06采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 55 A
- 栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) ≤ 14 mΩ（典型值：11.0 mΩ）
- 栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) ≤ 16 mΩ（典型值：12.5 mΩ）
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 负载开关