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TPH2900ENH,L1Q(M
1个N沟道 耐压:200V
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 8.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 24 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 200 V)。 增强模式：VDA = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH2900ENH,L1Q(M
- 商品编号
- C5370529
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- Vds = 60V，ID = 53A
- 在Vgs = 10V时，RDS(ON) ≤ 12mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 17mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理