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TK160F10N1L,LQ
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VTH = 2.5至3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：汽车。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK160F10N1L,LQ
- 商品编号
- C5370535
- 商品封装
- TO-220SM(W)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.581克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 1.2 V驱动
- 低漏源导通电阻：
- RDS(ON) = 1110 mΩ（典型值）（VGS = -1.2 V时）
- RDS(ON) = 780 mΩ（典型值）（VGS = -1.5 V时）
- RDS(ON) = 650 mΩ（典型值）（VGS = -1.8 V时）
- RDS(ON) = 510 mΩ（典型值）（VGS = -2.5 V时）
- RDS(ON) = 400 mΩ（典型值）（VGS = -4.5 V时）
应用领域
- 电源管理开关