温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 130mΩ@4.5V,2A | |
| 功率 | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.5nC@15V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 480pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) ≤ 80 mΩ(典型值57 mΩ)
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) ≤ 130 mΩ(典型值112 mΩ)
应用领域
-负载开关-电源管理