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IPB014N04NF2S
1个N沟道 耐压:40V 电流:191A
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- 描述
- 特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB014N04NF2S
- 商品编号
- C5359105
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.0525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 191A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) ≤ 2.3 Ω
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 2.7 Ω
应用领域
- 便携式设备