IPB055N08NF2S
MOSFET StrongIRFET 2功率晶体管
- 描述
- 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB055N08NF2S
- 商品编号
- C5359112
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 94A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@55uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品特性
~~- 快速本征二极管-国际标准封装-具备非钳位电感开关 (UIS) 额定值-低封装电感-易于驱动和保护
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