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IPB034N06N3 G
OptiMOs 3功率晶体管
- 描述
- 特性：适用于同步整流、电机驱动和 DC/DC 开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。 无铅电镀，符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB034N06N3 G
- 商品编号
- C5359111
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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