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IKW30N65ET7
650V 60A
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- 描述
- 特性：VCE = 650 V。IC = 30 A。极低的VCE,sat。低关断损耗。短尾电流。降低电磁干扰 (EMI)。应用：伺服驱动器。通用驱动器 (GPD)
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW30N65ET7
- 商品编号
- C5359096
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 输出电容(Coes) | 62pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 90A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@0.3mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.9nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 245ns | |
| 导通损耗(Eon) | 590uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 500uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 80ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 20pF |