温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 115mΩ@2.5V,2A | |
| 功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- RDS(ON) ≤ 80 mΩ(典型值53mΩ)
- @VGS = 4.5V
- RDS(ON) ≤ 115 mΩ(典型值72mΩ)
- @VGS = 2.5V
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- DC/DC转换器