温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36.5mΩ@2.5V | |
| 功率 | 1.13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.34nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 105pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = - 4.5V时,RDS(ON) ≤ 32 mΩ(典型值29 mΩ)
- 在VGS = - 2.5V时,RDS(ON) ≤ 40 mΩ(典型值36.5 mΩ)
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 便携式设备