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FDN302P(UMW)
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
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- 描述
- 特性：该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化，具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。 漏源击穿电压VDS(V) = 20V。 漏极电流ID = -2.4A。 静态漏源导通电阻RDS(ON)：55mΩ（VGS = -4.5V）；80mΩ（VGS = -2.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN302P(UMW)
- 商品编号
- C5346819
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V；64mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 882pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 211pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
总价金额：
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