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MCU30N02-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AGM40P100H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
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