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MCU30N02-TP实物图
  • MCU30N02-TP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MCU30N02-TP

MCU30N02-TP

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品牌名称
MCC(美微科)
商品型号
MCU30N02-TP
商品编号
C5346834
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))5.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))450mV
栅极电荷量(Qg)29nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)145pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

AGM40P100H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 沟槽功率低电压MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
  • 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 湿度敏感度等级1级
  • 如需无卤产品,可添加后缀 “-HF”
  • 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀 “P” 表示符合RoHS标准。详见订购信息)

应用领域

  • MB/VGA内核电压
  • 开关电源二次同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF