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AO3480A(UMW)
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.7A
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- 描述
- 特性：结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。 VDS = 30V。 ID = 5.7A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 26.5mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 32mΩ（VGS = 4.5V）。 RDS(ON) < 50mΩ（VGS = 2.5V）。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO3480A(UMW)
- 商品编号
- C5346820
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.05V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |