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FDD4243(UMW)
P沟道 耐压:40V 电流:14A
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- 描述
- 特性：该P沟道MOSFET采用特定技术，可实现低导通电阻（RDS(ON)）和优化的Bvdss能力，在应用中提供卓越的性能优势。 VDS(V) = -40V。 RDS(ON) < 44mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 64mΩ（VGS = -4.5V）。 符合RoHS标准。 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD4243(UMW)
- 商品编号
- C5346826
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V；48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.165nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
该P沟道MOSFET采用先进技术制造，能够提供低R_DS(ON)和优化的Bvdss能力，从而在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 漏源电压 V_DS = -40V
- 导通电阻 R_DS(ON) < 20mΩ (栅源电压 V_GS = -10V)
- 导通电阻 R_DS(ON) < 30mΩ (栅源电压 V_GS = -4.5V)
- 符合RoHS标准
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的R_DS(ON)