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AO6400(UMW)
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=30V。 ID = 6.9A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) = 33mΩ (VGS = 4.5V)。 低导通电阻。 高速开关。应用：DC/DC转换器
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO6400(UMW)
- 商品编号
- C5346828
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.05V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
特瑞仕（Truesemi）超结场效应晶体管（SJ-FET）是新一代高压MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。 SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V
- 漏极电流(ID) = 6.9 A(栅源电压VGS = 10 V)
- 导通电阻RDS(ON) = 28 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
- 导通电阻RDS(ON) = 33 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 高速开关
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