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AO6400(UMW)

1个N沟道耐压:30V 电流:6.9A

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描述: 特性：VDS(V)=30V。 ID = 6.9A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) = 33mΩ (VGS = 4.5V)。低导通电阻。高速开关。应用：DC/DC转换器
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: AO6400(UMW)
商品编号: C5346828
商品封装: SOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.044克(g)

商品参数

商品概述

特瑞仕（Truesemi）超结场效应晶体管（SJ-FET）是新一代高压MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。 SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。

商品特性

550V @TJ = 150℃
典型RDS(on) = 0.48Ω
超低栅极电荷（典型Qg = 25nC）
经过100%雪崩测试

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	6.9A
	导通电阻(RDS(on))	18mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	2W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.05V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	6nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	630pF
	反向传输电容(Crss)	50pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	75pF