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AOD4189(UMW)
P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。凭借TO-252封装出色的热阻，该器件非常适合大电流负载应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD4189(UMW)
- 商品编号
- C5346824
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.4nC@10V；7.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |