温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD4185(UMW)
1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。凭借DPAK/IPAK封装出色的热阻，该器件非常适合大电流应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD4185(UMW)
- 商品编号
- C5346822
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
Truesemi超结场效应晶体管（SJ-FET）是新一代高压MOSFET产品族，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。
- SJ-FET适用于各种开关模式操作下的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- VDS(V) = -40 V
- ID = -40A(VGS = -10V)
- RDS(ON)< 15 mΩ (VGS=-10 V)
- RDS(ON) < 20 mΩ (VGS = -4.5 V)