IRF7307TR(UMW)
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.2A
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- 描述
- SOP-8通过定制引线框架进行了改进,具有增强的热特性和多芯片能力,使其非常适合各种电源应用。通过这些改进,在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊技术。在典型的PCB安装应用中,功率耗散可能超过0.8W。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7307TR(UMW)
- 商品编号
- C5346816
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V;20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A;4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V;140mΩ@2.7V;70mΩ@2.7V;100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA;700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC;22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF;610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF;170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF;280pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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