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IRF7476TR(UMW)
N沟道 耐压:12V 电流:15A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=12V。 RDS(ON)<8mΩ(VGS=4.5V)。 RDS(ON)<30mΩ(VGS=2.8V)。 高频。 无铅。应用：网络通信和计算应用的3.3V和5V输入负载点同步降压转换器。 网络通信、计算和便携式应用的电源管理
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7476TR(UMW)
- 商品编号
- C5338297
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.19nF |