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AO4419(UMW)
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.7A
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- 描述
- 特性：结合先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = -30V。 ID = -9.7A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。应用：负载开关。 电池保护
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4419(UMW)
- 商品编号
- C5338303
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,9.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |