温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4616(UMW)
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 此互补N和P沟道MOSFET配置适用于低输入电压逆变器应用。 VDS(V) = 30V。 ID = 8A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 VDS(V) = -30V。 ID = -7A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 22mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = -4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4616(UMW)
- 商品编号
- C5338304
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V；17.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA；2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V；19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF；1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF；125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF；180pF |