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STP4925A(UMW)
P沟道 耐压:30V 电流:7.2A
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- 描述
- 双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- STP4925A(UMW)
- 商品编号
- C5338310
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 235pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
D-PAK 封装专为采用气相、红外或波峰焊接技术的表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 W。
商品特性
- 漏源电压 VDS = 55 V
- 漏极电流 ID = 44 A（栅源电压 VGS = 10 V）
- 导通电阻 RDS(ON) < 27 mΩ（栅源电压 VGS = 10 V）