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FDN358P(UMW)
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性：适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。 VDS(V) = 30V。 ID = -1.5A。 RDS(ON) < 90mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 150mΩ (VGS = -4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN358P(UMW)
- 商品编号
- C5338308
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
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