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IRF7301TR(UMW)
双路20V N沟道MOSFET
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- 描述
- SOP-8 经过定制引线框架改进，具有增强的热特性和多芯片能力，适用于各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7301TR(UMW)
- 商品编号
- C5338309
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V；70mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
SOP-8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种功率应用的理想选择。通过这些改进，可以在应用中同时使用多个器件，同时显著减少电路板空间。
商品特性
- 漏源电压 V_DS = 20V
- 漏极电流 I_D = 5.7A
- 栅源电压 V_GS = 4.5V 时，导通电阻 R_DS(on) < 40mΩ
- 栅源电压 V_GS = 2.7V 时，导通电阻 R_DS(on) < 50mΩ
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 双N沟道MOSFET
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关
- 无铅