IRF7351TR(UMW)
双N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性:VDS(V)=60V。 ID = 8A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 23mΩ(VGS = 10V)。 超低栅极阻抗。 完全表征雪崩电压和电流。 20V VGS最大栅极额定值。应用:隔离式直流-直流转换器同步整流MOSFET。 低功率电机驱动系统
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7351TR(UMW)
- 商品编号
- C5338301
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.7mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
