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IRF7341TR(UMW)
2个N沟道 耐压:55V 电流:4.7A
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- 描述
- 特性：通过定制引线框架进行了修改，具有增强的热特性和多芯片能力。适用于各种电源应用。可显著减少电路板空间。设计用于气相、红外或波峰焊技术。典型 PCB 安装应用中功耗大于 0.8W。第五代技术。超低导通电阻。双 N 沟道 MOSFET。表面贴装。动态 dv/dt 额定值。快速开关
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF7341TR(UMW)
- 商品编号
- C5338300
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V；56mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5A | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |