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CMSB4807
停产 2个P沟道 耐压:30V 电流:4A
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSB4807
- 商品编号
- C5337963
- 商品封装
- DFN-8(3x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 730pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA08P06采用先进技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 65mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 85mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 符合RoHS标准
应用领域
-逆变器开关-同步整流器-负载开关-DC/DC转换器