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SIS110DN-T1-GE3
100V 5.2A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 针对最低的RDS-Qoss品质因数进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：初级侧开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS110DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5334354
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 针对最低的导通电阻-输出电荷品质因数进行了优化
- 100%进行栅极电阻和非钳位感性开关测试
应用领域
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关
- 升压转换器
- LED背光