SI7634BDP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7634BDP-T1-GE3
- 商品编号
- C5334347
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.15nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60 V，漏极电流（ID） = -50 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好